+420 499 599 800 (po-pá, 8:00 - 17:00)

SSD 1TB Samsung 850 EVO M.2

AB Kód: 1333703
Skladem do 3 dnů (Zobrazit dostupnost)
Doprava zdarma
9 860 Kč
8 148 Kč bez DPH
Záruka: 60 měsíců
Co je 3D V-NAND a jak se liší od stávající technologie? Jedinečná a inovativní architektura flashové paměti 3D V-NAND od společnosti Samsung představuje překonání omezení hustoty, výkonu aodolnosti dnešní běžné planární architektury NAND.…
Popis produktu
<figure class=„box-img“></figure>

Co je 3D V-NAND a jak se liší od stávající technologie?

Jedinečná a inovativní architektura flashové paměti 3D V-NAND od společnosti Samsung představuje překonání omezení hustoty, výkonu aodolnosti dnešní běžné planární architektury NAND. 3D V-NAND totiž využívá 32 vrstev buněk nad sebou, místo aby zmenšovala rozměry buněk při snaze vměstnat je do pevně daného horizontálního prostoru. Ve výsledku poskytuje technologie vyšší hustotu a lepší výkon na menší ploše.

<figure class=„box-img“></figure>

Optimalizujte práci s počítačem pomocí technologie TurboWrite bez konkurenční rychlosti čtení

Dosáhněte absolutního výkonu čtení / zápisu, abyste díky technologii TurboWrite od společnosti Samsung maximalizovali své pohodlí při práci s počítačem. V porovnání s modelem 840 EVO je model 850 EVO pro uživatele celkově rychlejší o přibližně 13%*, částečně díky dvojnásobné rychlosti náhodného zápisu. Model 850 EVO má ve své třídě špičkový výkon rychlosti sekvenčního čtení a zápisu 540 MB/s, respektive 520 MB/s. Užijte si optimalizovaný náhodný výkon scénářů využití klientského PC ve všech hloubkách fronty (QD).

<figure class=„box-img“></figure>

Zvětšete paměťové úložiště díky režimu RAPID

Model Samsung 850 EVO M.2 je rychlým počítačem. Díky nejnovějšímu softwaru Samsung Magician můžete aktivovat režim RAPID, který čerpá nevyužitou paměť PC (DRAM) a využívá ji jako úložiště vyrovnávací paměti o velikosti až 25% celkové kapacity DRAM. V režimu RAPID jsou pak díky dramatickému zvětšení úložiště rychlosti zpracování dat a náhodné QD až dvojnásobně vyšší*.

<figure class=„box-img“></figure>

Odolnost a spolehlivost podpořená technologií 3D V-NAND

Model 850 EVO má zaručenou odolnost a spolehlivost díky dvojnásobnému celkovému počtu zapsaných bajtů (TBW) v porovnání s předchozí generací modelu 840 EVO*, a kromě toho v tomto segmentu nejlepší 5leté záruce. Díky vylepšení výkonu až o 30% umožňuje model 850 EVO trvalý výkon a je proto jedním z nejspolehli­vějších úložných řešení.

<figure class=„box-img“></figure>

Energetická účinnost zajištěná pomocí 3D V-NAND

Model 850: Řada Evo přinesla u modelu 840 EVO funkci režim spánku pro 2 mW zařízení a nyní přináší model 850 EVO nejmodernější technologii 3D V-NAND, která spotřebovává o 50% méně energie než planární technologie 2D NAND a umožňuje tak o 25% větší energetickou účinnost v průběhu operací zápisu*.

<figure class=„box-img“></figure>

Technické specifikace

  • Aplikace: Klientské PC
  • Kapacita: 1 TB (1 GB = 1 miliarda bajtů podle IDEMA) * Skutečná využitelná kapacita může být nižší (v závislosti na formátování, diskových oddílech, operačním systému, aplikacích a dalších faktorech)
  • Rozhraní: Rozhraní SATA 6 Gb/s, kompatibilní s rozhraními SATA 3 Gb/s a SATA 1,5 Gb/s
  • Rozměry (ŠXVXH): Max. 80,15 x max. 22,15 x max. 2,38 (mm)
  • Váha: 6,8 g
  • Storage Memory: 32vrstvá paměť 3D V-NAND Samsung
  • Controller: Řadič MGX Samsung
  • Cache Memory: Nízkonapěťová paměť 512 MB DDR3 SDRAM Samsung
  • TRIM Support: Podpora TRIM
  • S.M.A.R.T Support: Podpora S.M.A.R.T
  • GC (Garbage Collection): Algoritmus pro automatický sběr informací o paměti
  • Encryption Support: 256 bitové šifrování AES (třída 0), TCG / Opal, IEEE1667 (šifrovaný disk)
  • WWN Support: Podpora adresy WWN (World Wide Name)
  • Device Sleep Mode Support: Ano
Základní parametry
Značka:
Kód výrobce:
MZ-N5E1T0BW
EAN:
8806088160900
Produkt se nachází v kategoriích
Tyto stránky používají cookies. Setrváním na stránkách s tímto souhlasíte. Více informací